A GENIALIDADE CONTINUA, BASTA ESTUDAR.

Professor Doutor Rodrigo Ribeiro de Andrade.

Este é o Campanhense de currículo científico mais elevado hoje. Além de doutor, ele tem dois pós-doutorados, é doutor 3 vezes. A pessoa só tem o título quando realiza uma descoberta científica reconhecida pela comunidade científica internacional. No caso dele, ele fez isso 3 vezes só nos últimos 6 anos, 3 descobertas, e por isso tem 3 doutorados. Vejam abaixo o relato de uma das suas descobertas da física publicado em uma revista da Inglaterra.  Veja aí onde está indo parar o campanhense ex-aluno da Escola Estadual Vital Brasil.

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A evidência experimental e modificado Modelo de Crescimento 

de liga de In x Ga 1- x Como Nanowires

R-Ribeiro Andrade † *, A. Malachias † ‡, G. Kellerman ‡, FR Negreiros †, 

NM Santos §, NA Sobolev §, MVB Moreira †, AG de Oliveira †E JC González †

† Departamento de Física, Instituto de Ciências Exatas, Universidade Federal de Minas Gerais, 

Código Postal 702, 30123-970, Belo Horizonte, Brasil.

‡ Laboratório Nacional de Luz Síncrotron, CP 6192, 13083-970, Campinas, SP, Brasil

§ I3N e Departamento de Física, Universidade de Aveiro, 3810-193 Aveiro, Portugal

J. Phys. Chem. C, 2012, 116 (46), pp 24.777-24.783

DOI: 10,1021 / jp305031h

Data de publicação (Web): 08 de novembro de 2012

Copyright © 2012 American Chemical Society

* E-mail: rodriban@fisica.ufmg.br.

Resumo

Neste trabalho, um estudo sistemático da influência das condições de crescimento na formação anômala de ternário em x Ga 1- x Como nanofios é apresentado. Nanofios free-standing, de composição nominal InAs, foram crescidos por epitaxia de feixe molecular sobre GaAs (111) substratos B em diferentes temperaturas e como o 4 de feixe pressões equivalentes. A morfologia, composição química e estrutura cristalina dos nanofios foram investigados por microscopia eletrônica de varredura, raio-X de energia dispersiva, e as técnicas de difração de raios-X. Verificou-se que uma forte incorporação de Ga ocorre durante o crescimento criação de um ternário homogêneo No x Ga 1-x como a liga nos nanofios com muito baixa pressão residual. A fracção molar de GaAs foi encontrada a aumentar com a temperatura de crescimento e a diminuir com o Como 4 feixe pressão equivalente. Um modelo de crescimento nanofio, tendo em conta a geração e difusão de adátomos Ga da superfície do substrato para os nanofios, foi utilizada para explicar a incorporação de átomos de Ga e a formação da liga ternária. Este modelo prevê que a relação de composição de GaAs / nanofios de InAs nos segue uma lei de Arrhenius como uma função da temperatura de crescimento, com uma dependência da raiz quadrada inversa da Conforme 4 feixe equivalente de pressão como um factor de pré-exponencial. A teoria foi encontrado para se ajustar bem os dados experimentais com energia de ativação de 1 eV. É também mostrado que a energia de activação corresponde à energia necessária para criar adátomos GA na superfície do substrato B GaAs (111). Ambos os resultados experimentais e teóricas mostram que nesta gama de condições de crescimento, o factor limitativo para a formação do In x Ga 1- X como a liga nos nanofios não é o comprimento de difusão do Ga e In adátomos no lado da superfície do substrato e nanofios paredes, mas a densidade de adátomos Ga disponíveis sobre a superfície do substrato.